Mida tähistab HFE multimeetril
Multimeetri HFE vahemik mõõdab kristalltransistori vooluvõimendustegurit ja seda tüüpi arvestitel on pesad kristallitransistoride mõõtmiseks. hFE faili kasutatakse peamiselt võimendusteguri mõõtmiseks. Enne mõõtmist on vaja kindlaks teha, kas transistor on PNP või NPN tüüpi ning määrata iga viigu polaarsus.
Kasutamine: Mõõtmisel sisestage transistor vastava polaarsusega pessa, et lugeda transistori vooluvõimendustegurit.
Laiendatud teave:
Multimeetri pea on tundlik ampermeeter. Pea peal olevale sihverplaadile on trükitud erinevad sümbolid, skaalamärgid ja numbrilised väärtused. Sümbol A - V - Ω näitab, et see arvesti on multimeeter, mis suudab mõõta voolu, pinget ja takistust.
Sihverplaadile on trükitud mitu skaalajoont, mille parempoolses otsas on takistuse skaala joon tähistatud tähega "Ω", paremas otsas null ja vasakus otsas ∞. Skaalaväärtuste jaotus on ebaühtlane. Sümbol "-" või "DC" tähistab alalisvoolu, "~" või "AC" tähistab vahelduvvoolu ja "~" tähistab skaalajoont, mida jagavad vahelduvvool ja alalisvool. Skaalajoone all olevad mõned numbriread on skaala väärtused, mis vastavad valikulüliti erinevatele käiguasenditele.
Multimeetri tööpõhimõte:
Multimeetri põhiprintsiip on kasutada arvesti peana tundlikku magnetoelektrilist alalisvoolumõõtjat (mikroampermeetrit). Kui arvesti pead läbib väike vool, kuvatakse voolu näit. Kuid arvesti pea ei saa läbida suuri voolusid, mistõttu on vaja voolu, pinge ja takistuse mõõtmiseks vooluahelas voolu, pinge ja takistuse mõõtmiseks pinget šuntida või vähendada, ühendades arvesti peal paralleelselt või järjestikku mõned takistid.
Mida tähendavad hfe, PNP, NPN multimeetril
HFE on transistori alalisvoolu võimendusteguri lühend, mis on transistori voolu võimendustegur; PNP ja NPN esindavad kahte tüüpi transistore.
When the transistor is on, IE=(amplification factor+1) * IB and ICB are not related. When ICB=0 and ICB>0, there may be a problem with the transistor. Therefore, when the transistor is working normally, whether it is in the amplification or saturation region, ICB=0. When UEB>{{0}},7 V (räni) (germaanium 0,2 V) ja RC/RB
Erinevus PNP-tüüpi transistori ja NPN-tüüpi transistori vahel seisneb kahe PN-siirde ebaühtlases suunas.
PNP on tavaline katood, kus kahe PN-siirde N-siirde on ühendatud baaselektroodina ja ülejäänud kahte P-liidet kasutatakse vastavalt kollektorite ja emitteritena; Skeemil on kujutatud transistorit, mille nool on suunatud sissepoole. NPN on vastupidine.
