Lülitustoiteallikad Hankige väljundkondensaatoritest energiat
Pinge-laengu suhte graafikul on mahtuvus näidatud diagonaaljoonena ja mahtuvusse salvestatud energia on joone all olev ala. Kuigi võimsuse MOSFET-i väljundmahtuvus on mittelineaarne ja varieerub sõltuvalt äravoolupingest, on väljundmahtuvuses salvestatud energia siiski mittelineaarse mahtuvusliini all olev piirkond. Seega, kui leiame sirge, mis annab sama pindala, mis sisaldub joonisel fig. 1, on liini kalle täpselt samaväärne väljundmahtuvus, mis toodab sama palju salvestatud energiat.
Mõne vanema tasapinnalise tehnoloogiaga MOSFET-i puhul võib projekteerijal olla võimalik leida ekvivalentne väljundmahtuvus, kasutades andmelehel olevate väljundmahtuvuse väärtuste alusel kõvera sobivust, tavaliselt määratud äravooluallika pingel 25 V.
(3) Energiasalvestise saab seejärel saada lihtsast integraalvõrrandist.
(4) Lõpuks on efektiivne väljundmahtuvus antud kujul
(5) Väljundmahtuvuse mõõdetud väärtus ja sobitatud kõver, mis on tuletatud võrrandist Eq. (3) on näidatud. See töötab hästi vana tehnoloogia MOSFET-ide suhtes. Kuid MOSFETide jaoks, mis kasutavad uuemaid tehnoloogiaid, näiteks supersiirdetehnoloogiat, kus väljundmahtuvusel on rohkem mittelineaarseid omadusi, ei ole lihtne eksponentsiaalkõvera sobivus mõnikord piisavalt hea. Joonisel 2(b) on kujutatud *uue tehnoloogiaga MOSFETi mõõdetud väljundmahtuvus ja sobitatud kõver, kasutades võrrandit (3). Samaväärse väljundmahtuvuse väärtuse puhul põhjustab nende kahe vaheline lõhe kõrgepinge piirkonnas tohutu erinevuse, kuna pinge korrutatakse integraalvõrrandis oleva mahtuvusega. Samaväärse mahtuvuse hindamine annab palju suurema mahtuvuse, mis võib muunduri esialgset konstruktsiooni eksitada.
Väljundmahtuvuse hindamine, (a) vana MOSFET, (b) uus MOSFET
Kui väljundmahtuvuse väärtus sõltub äravooluallika pingest, saab väljundmahtuvuses salvestatud energia leida võrrandi (4) abil. Kuigi andmelehel on mahtuvuse kõverad näidatud, pole mahtuvuse väärtust lihtne välja lugeda. Seetõttu, lähtudes äravooluallika pingest, on väljundmahtuvuses salvestatud energia esitatud graafiku abil viimase võimsuse MOSFET-i andmelehel. Kasutades joonisel 3 näidatud kõverat, saab võrrandi (5) abil saada ekvivalentse väljundmahtuvuse soovitud alalisvoolu (DC) siinipinge juures.
