Transistoride kvaliteedi mõõtmise meetod multimeetriga
Esiteks ühendage multimeeter testdioodi klemmiga. Kasutage multimeetri punast sondi, et puudutada ühte transistori tihvti ja kasutage multimeetri teist sondi, et testida järelejäänud tihvte, kuni saadakse järgmine tulemus:
1. Kui transistori must sond on ühendatud ühe tihvtiga ja ülejäänud kaks tihvti juhivad mõlemad punase sondiga mõõdetuna pinge ekraaniga, siis on see transistor PNP -transistori ja musta sondiga ühendatud tihvt on transistori alus b. Ülaltoodud meetodi kasutamisel on ühega ühendatud multimeetri punase sondi pinge pisut kõrgem, siis on see tihvt transistori emitter E ja madalama pingega ülejäänud tihvt on koguja C.
2. Kui transistori punane sond on ühendatud ühe selle tihvtiga ja ülejäänud kaks tihvti juhivad mõlemad musta sondiga mõõdetuna pinge ekraaniga, siis on see transistor NPN -transistor ja punase sondiga ühendatud tihvt on transistori alus b. Ülaltoodud meetodi kasutamisel on ühega ühendatud multimeetri musta sondi pinge pisut kõrgem, siis on see tihvt transistori emitter E ja madalama pingega ülejäänud tihvt on koguja C.
Teine meetod on HFE -käigu kasutamine otsustamiseks. Pärast transistori aluse ja transistori tüübi määramist sisestage transistori alus LU väärtuse mõõtmise auku vastavalt aluse ja transistori tüübi positsioonile ning sisestage ülejäänud kaks tihvti ülejäänud kolmest mõõtmisaugust. Jälgige kuvari ekraanil olevate andmete suurust, leidke transistori koguja ja emitter, vahetage positsioone ja mõõtke seejärel uuesti. Jälgige ekraanil olevat väärtust, korrake mõõtmist neli korda ning võrrelge ja jälgige. Mõõdetud maksimaalne väärtus on transistori praegune amplifikatsioonitegur, mis vastab transistori koguja ja emitter -elektroodidele.
