Energia salvestamine lülitustoiteallikate väljundkondensaatoritest
Pinge-laengu suhte graafikul on mahtuvus näidatud diagonaaljoonena ja mahtuvusse salvestatud energia on joone all olev ala. Kuigi võimsuse MOSFET-i väljundmahtuvus on mittelineaarne ja varieerub sõltuvalt äravoolupingest, on väljundmahtuvuses salvestatud energia siiski mittelineaarse mahtuvusliini all olev piirkond. Seega, kui leiame sirge, mis annab sama pindala, mis sisaldub joonisel fig. 1, on liini kalle täpselt samaväärne väljundmahtuvus, mis toodab sama palju salvestatud energiat.
Mõne vanema tasapinnalise tehnoloogiaga MOSFET-i puhul võib projekteerija leida võrdväärse väljundmahtuvuse, kasutades andmelehel olevate väljundmahtuvuse väärtuste põhjal kõvera sobivust tavapäraselt määratud äravooluallika pingel 25 V.
Seega saab energiasalvestise saada lihtsast integraalvõrrandist.
Lõpuks on efektiivne väljundmahtuvus
väljundmahtuvuse mõõdetud väärtus ja võrrandist tuletatud sobitatud kõver. (3). See töötab hästi võrreldes vana tehnoloogiaga MOSFETiga joonisel 2(a). Kuid MOSFETide jaoks, mis kasutavad uuemaid tehnoloogiaid, näiteks supersiirdetehnoloogiat, kus väljundmahtuvusel on rohkem mittelineaarseid omadusi, ei ole lihtne eksponentsiaalkõvera sobivus mõnikord piisavalt hea. Joonisel 2(b) on kujutatud *uue tehnoloogiaga MOSFETi mõõdetud väljundmahtuvus ja sobitatud kõver, kasutades võrrandit (3). Samaväärse väljundmahtuvuse väärtuse korral põhjustab nende kahe vaheline lõhe kõrgepinge piirkonnas tohutu erinevuse, kuna pinge korrutatakse integraalvõrrandis oleva mahtuvusega. Joonisel 2(b) esitatud hinnang annab palju suurema ekvivalentmahtuvuse, mis võib muunduri esialgset konstruktsiooni eksitada.
Hinnanguline väljundmahtuvus, (a) vana MOSFET, (b) uus MOSFET
Kui väljundmahtuvuse väärtus sõltub äravooluallika pingest, saab väljundmahtuvuses salvestatud energia leida võrrandi (4) abil. Kuigi andmelehel on mahtuvuse kõver näidatud, pole mahtuvuse väärtust graafikult** lihtne välja lugeda. Seetõttu on äravooluallika pinge põhjal väljundmahtuvuses salvestatud energia esitatud *New Power MOSFETi andmelehel oleva graafiku abil. Kasutades joonisel 3 näidatud kõverat, saab võrrandi (5) abil saada ekvivalentse väljundmahtuvuse soovitud alalisvoolu (DC) siinipinge juures.
