Töö põhimõte ja rakendus ülekanne elektron mikroskoopia
Ülekanne elektron mikroskoopia (TEM for lühike) saab näha peen struktuurid vähem kui {{{{0}.2um et ei saa olla nähtav selgelt all optiline mikroskoop. Need struktuurid on nn Ultrastruktuur või ultrastruktuur. Et näha need struktuurid selgelt, it on vajalik valida a lühem lainepikkus valgus allikas to parandada lahutusvõime of mikroskoop. Ruska leiutatud ülekanne elektron mikroskoopia koos elektron kiir as the light source in 1932. The wavelength of the electron beam is much shorter than visible light and ultraviolett light, and the wavelength of the electron beam is inversely proportional to the square root of the voltage of the e the e the higher the voltage, the shorter the wavelength. At present, the resolution of TEM can reach 0.2nm.
Pildistamine põhimõte ülekanne elektron mikroskoopia
pildistamine põhimõte ülekanne elektron mikroskoopia saab olla jagatud kolmeks juhtumiks:
1. Neeldumine kujutis: Millal elektronid on eralduvad peale proovid koos suur mass ja tihedus, peamine faas moodustumine is hajumine. Kuse Alad koos suur mass ja paksus on on proov on a suurem hajumine nurk elektronid, vähem elektronid läbimineku, ja heledus of the pilt on tumedam. The Early Transmission elektron mikroskoopia oli põhine on see põhimõte.
2. Difraktsioon kujutis: pärast elektron kiir on difraktsioonitud by the proov, amplituud jaotus of the diffrakteeritud laine at erinevad positsioonid of the proov vastab to the different diffractive ability of each part of the crystal in the sample. Millal kristallograafiline defekt ilmumine, the diffraktiivne võime of defekt osa on erinev ala ala 2c nii see amplituud jaotus of diffrakteeritud laine on ebaühtlane, peegeldav jaotus of kristallograafiline defekt.
3. Phase image: When the sample is thinner than 100 Å, electrons can pass through the sample, and the amplitude change of the wave can be ignored. The imaging comes from the change in phase.
Ülekanne elektron mikroskoopia on laialdaselt kasutatav materjal teadus ja bioloogia. Tingitud to the tundlikkus of elektronid to hajumine või neeldumine by objektid, läbitungimine jõud on madal, ja tihedus, paksus, ja muud tegurid of the proov saab mõjutada the final imaging quality. Seega, it on vajalik valmistada õhem üliõhukesed viilud, tavaliselt 50-100}nm. Seega, the samples observed by Transmission electron mikroskoopia vajadus tuleb olla töödeldud väga õhuke. tavaliselt kasutatakse meetodeid kaasata: üliõhuke sektsioonimine meetod, külmutatud üliõhuke sektsioonimine meetod, külmutatud külmutatud murd meetod, jne vedelik proovid - 2c see tavaliselt täheldatud riputamine eeltöödeldud vask traat võrk.
