Infrapunamikroskoopia elektroonikatööstuses pisikeste seadmete rakendamisel
I. Rakenduse suund: infrapunamikroskoopia väikeste pooljuhtseadmete temperatuuri testimisel
II. Taustsissejuhatus:
Nanotehnoloogia arenguga on selle ülalt-alla miniaturiseerimist pooljuhttehnoloogia valdkonnas üha enam kasutatud. Varem nimetasime IC-tehnoloogiat "mikroelektroonika" tehnoloogiaks, kuna transistoride suurus on mikroni (10-6 meetri) skaalas. Pooljuhtide tehnoloogia areneb aga nii kiiresti, et iga kahe aasta järel areneb see ühe põlvkonna võrra ja kahaneb pooleni oma algsest suurusest, mida tuntakse Moore'i seadusena. Umbes 15 aastat tagasi hakkasid pooljuhid jõudma alammikroni ehk vähem kui mikroni ajastusse, millele järgnes sügav submikroniline ehk mikronist palju väiksem ajastu. 2001. aastaks olid transistorid isegi väiksemad kui 0,1 mikronit ehk alla 100 nanomeetri. Seetõttu on käes nanoelektroonika ajastu ja suurem osa tulevastest IC-dest tehakse nanotehnoloogia abil.
Kolmandaks tehnilised nõuded:
Praegu on elektroonikaseadmete rikke peamine vorm termiline rike. Statistika kohaselt põhjustab 55% elektroonikaseadmete riketest määratud väärtust ületav temperatuur ja temperatuuri tõusuga suureneb elektroonikaseadmete rikete määr plahvatuslikult. Üldiselt on elektroonikakomponentide töökindlus äärmiselt tundlik temperatuuri suhtes, seadme temperatuur 70-80 kraadi tasemel iga 1 kraadi tõusuga, töökindlus langeb 5%. Seetõttu on vajadus seadmete kiire ja usaldusväärse temperatuuri tuvastamise järele. Kuna pooljuhtseadmete mõõtmed muutuvad järjest väiksemaks, seab tuvastusseadmete temperatuurieraldusvõime ja ruumiline eraldusvõime kõrgemad nõuded.
Neljandaks, saidi pildistamise termiline kaart (asukoht: tuntud uurimisinstituudid Mudel: INNOMETE SI330)
