Kuidas kasutada multimeeterit põlluefektide kvaliteeditorude kvaliteedi tuvastamiseks?
Summutusdioodi olemasolu tõttu tavaliselt kasutatavate MOSFET -ide DS -poolustel saab MOSFET -i jõudlust kindlaks määrata digitaalse multimeetri diooditaseme abil, et tuvastada dioodipinge langus DS -i pooluste vahel. Üksikasjalik tuvastusmeetod on järgmine.
Pöörake digitaalse multimeetri käiguvahetus dioodirežiimile, ühendage punane sond S -pooluse ja musta sondiga D -pooluse külge. Sel ajal kuvab multimeetri ekraan DS -pooluste vahelise dioodi pinge languse väärtust. Suure võimsusega väljatransistoride pinge languse väärtus on tavaliselt vahemikus 0. 4 ja 0. 8v (enamasti 0. 6V); S-poolusega ühendatud musta sondi vahel ei tohiks olla pingelangust, D-poolusega ühendatud punane sond ja G-poolus ja muude tihvtide (näiteks N-kanali väljamõju transistori, P-kanali välja-efektide transistoril, kui punane soe on ühendatud D-poolusega), kui punane probe on ühendatud. Vastupidi, see näitab, et põllu-efekti transistor on kahjustatud.
Põllumõju transistorid kahjustatakse tavaliselt lagunemisega ja sel juhul on tihvtid tavaliselt lühise olekus. Seetõttu peaks pinge languse väärtus tihvtide vahel olema ka OV. Pärast iga MOS-i põllutransistori mõõtmist võetakse GS-i ristmikukondensaatorilt väike kogus laengut, kehtestades pinge UGS-i. Uuesti mõõtmisel ei pruugi sond liikuda (kui kasutate digitaalset multimeetri, on mõõtmisviga suur). Sel ajal lühistage GS -klemmid lühidalt.
Põllu-efektide transistoride kahjustamine on tavaliselt põhjustatud lagunemisest ja lühist. Sel ajal, mõõtes multimeetriga, on tihvtid tavaliselt ühendatud. Pärast põllu-efekti transistori kahjustamist ei ole üldiselt ilmset välimust. Tugevalt ülevoolu kahjustatud põllu-efektide transistoride korral võib see plahvatada.
